但是落到具体的产品本身的差异化，亨通要接地气。
此外，光电3硅光芯尽管异原子掺杂的石墨烯材料已经被总结用于超级电容器，但对多种元素共掺杂三维石墨烯材料的综述工作尚未有系统的报道。通过DFT计算，上半H2SO4分子的吸附能增强表明，B、N和P元素的三元掺杂在改善电极与电解液的相容性方面具有协同效应，并导致优异的电化学性能。
具有二元掺杂的类石墨烯三维多孔碳材料作为超级电容器的有前途的电极材料已被广泛研究，年净但它们受到低电容和能量密度的阻碍。相比之下，利增对于CVD法制备的3-D石墨烯泡沫，利增模板是宏观金属泡沫，掺杂源通常是气体，因此3-D石墨烯泡沫的尺寸和结构保持得很好，无论是在原位或后处理掺杂模式。在当前环境下，片获很难确定哪种元素具有最佳和次最佳掺杂性能，片获由于每种元素都有各自的优点和特点，因此平衡不同元素的掺杂含量和结构对于制备高性能的多元掺杂三维石墨烯材料尤为重要。
综上所述，突破上述结果表明，在石墨烯中掺杂N、P和B异原子的协同效应对于超快超级电容器的实际应用是一种很有前景的策略。此外，亨通三维石墨烯上存在不同大小的孔，如单个石墨烯片中的平面内微孔或介孔，可提供丰富的存储活性位点。
近年来，光电3硅光芯虽然发表了大量关于三维石墨烯材料的制备和能量相关应用的综述论文，光电3硅光芯但几乎都集中在三维石墨烯泡沫或气凝胶材料上，而对三维石墨烯粉末材料的讨论很少。
同时，上半一些异原子还可以通过破坏石墨烯层的平面惯性来增加无序度和活性位，从而提高比电容和比能量。掺杂型三维石墨烯赝电容贡献分析:最近研究者开发了一种简单的蒸发策略，年净借助液体曲面上的压力差效应，年净诱导形成高性能超级电容器的P掺杂三维碳纳米碗(PCNB)(见图6A-E)。
总比电容中的EDLC电容和赝电容的贡献可以通过以下等式(Dunns方程)从CV曲线中计算出来:i =k1v+k2v1/2，利增其中i是固定电位下的测量电流，利增v是扫描速率，k1和k2分别代表电容过程和扩散过程。此外，片获激光诱导高温气固合成提供了一种在绝缘衬底上直接生长异原子掺杂3-D石墨烯薄膜的有效方法，片获其中3-D石墨烯的结构和形貌可以通过改变掺杂元素和它们的浓度。
与NP-C600和NP-C800相比，突破NP-C700样品显示出更高的赝电容贡献，突破这可能是因为当使用质子（H+）作为电荷载体时，N和P掺杂剂提供了更多的赝电容（见图6I和J）。尽管超级电容器的三维形貌和大孔结构对电极材料性能的影响是有限的，亨通但是异原子掺杂可以引起三维石墨烯材料性能的根本改变和提高。